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Rochester Electronics FS150R12KT4B11BOSA1
IGBT MOD 1200V 150A 750W
Hersteller Modell :FS150R12KT4B11BOSA1
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :FS150R12KT4B11BOSA1-DS
Dokument :
FS150R12KT4B11BOSA1 Dokument
FS150R12KT4B11BOSA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MOD 1200V 150A 750W
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 240.6600 | $ 240.66 |
| 25+ | $ 235.8400 | $ 5896 |
| 100+ | $ 226.2200 | $ 22622 |
| 500+ | $ 216.6000 | $ 108300 |
| 1000+ | $ 204.5600 | $ 204560 |
Auf Lager: 1510
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FS150R12KT4B11BOSA1 Informationen
Rochester Electronics FS150R12KT4B11BOSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:750 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):150 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 150A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:9.35 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FS150R12KT4B11BOSA1 bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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