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Rochester Electronics IRFH8316TRPBF-IR

IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
part number has RoHS
Hersteller Modell :IRFH8316TRPBF-IR
Dasenic Modell :IRFH8316TRPBF-IR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 0.8400$ 8.4
866+$ 0.7000$ 606.2
Auf Lager: 824
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Gesamt :$ 0.84
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IRFH8316TRPBF-IR Informationen

  • Rochester Electronics IRFH8316TRPBF-IR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-PQFN (5x6)
  • 消費電力(最大):3.6W (Ta), 59W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:27A (Ta), 50A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.95mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:2.2V @ 50µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:59 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3610 pF @ 10 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:Vendor omitted MSL Rating information
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:0000.00.0000
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRFH8316TRPBF-IR bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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