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Rochester Electronics SIGC109T120R3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Hersteller Modell :SIGC109T120R3
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :SIGC109T120R3-DS
Dokument :
SIGC109T120R3 Dokument
SIGC109T120R3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 9.4230 | $ 9.42 |
| 25+ | $ 9.2340 | $ 230.85 |
| 100+ | $ 8.8560 | $ 885.6 |
| 500+ | $ 8.4780 | $ 4239 |
| 1000+ | $ 8.0100 | $ 8010 |
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SIGC109T120R3 Informationen
Rochester Electronics SIGC109T120R3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 100A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):300 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIGC109T120R3 bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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