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Rohm Semiconductor IMB1AT110
Hersteller Modell :IMB1AT110
Hersteller :Rohm Semiconductor
Dasenic Modell :IMB1AT110-DS
Dokument : IMB1AT110 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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IMB1AT110 Informationen
Rohm Semiconductor IMB1AT110 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SC-74, SOT-457
- パワー - 最大:300mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SMT6
- トランジスタタイプ:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 500µA, 10mA
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:56 @ 5mA, 5V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):22kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):22kOhms
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IMB1AT110 bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター(TYO:6963)は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM(統合デバイスメーカーとしての垂直統合)、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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