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Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB
Hersteller Modell :RQ3E070BNTB
Hersteller :Rohm Semiconductor
Dasenic Modell :RQ3E070BNTB-DS
Dokument : RQ3E070BNTB Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
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RQ3E070BNTB Informationen
Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-HSMT (3.2x3)
- 消費電力(最大):2W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:7A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:27mOhm @ 7A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:8.9 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:410 pF @ 15 V
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RQ3E070BNTB bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター(TYO:6963)は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM(統合デバイスメーカーとしての垂直統合)、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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