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SemiQ GPA040A120L-ND
IGBT 1200V 80A 455W TO264
Hersteller Modell :GPA040A120L-ND
Hersteller :SemiQ
Dasenic Modell :GPA040A120L-ND-DS
Dokument :
GPA040A120L-ND Dokument
GPA040A120L-ND DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT 1200V 80A 455W TO264
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GPA040A120L-ND Informationen
SemiQ GPA040A120L-ND technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-264-3, TO-264AA
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:455 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-264
- 逆回復時間 (trr):220 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):80 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:NPT and Trench
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.8V @ 15V, 40A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):120 A
- エネルギーの切り替え:5.8mJ (on), 1.5mJ (off)
- ゲートチャージ:510 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:41ns/200ns
- テスト条件:600V, 40A, 5Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GPA040A120L-ND bereitgestellt von SemiQ
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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