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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P(TE12L,F)
Hersteller Modell :MT3S113P(TE12L,F)
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :MT3S113P(TE12L,F)-DS
Dokument : MT3S113P(TE12L,F) Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
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MT3S113P(TE12L,F) Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P(TE12L,F) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-243AA
- パワー - 最大:1.6W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PW-MINI
- トランジスタタイプ:NPN
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):5.3V
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:200 @ 30mA, 5V
- 周波数 - 遷移:7.7GHz
- ノイズ指数 (d B 標準 @ f):1.45dB @ 1GHz
- 得:10.5dB
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0075
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MT3S113P(TE12L,F) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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