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Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Hersteller Modell :TK17E65W,S1X
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :TK17E65W,S1X-DS
Dokument :
TK17E65W,S1X Dokument
TK17E65W,S1X DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 3.6540 | $ 3.65 |
| 50+ | $ 1.8689 | $ 93.45 |
| 100+ | $ 3.6540 | $ 365.4 |
| 500+ | $ 1.3929 | $ 696.45 |
| 1000+ | $ 1.2971 | $ 1297.1 |
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TK17E65W,S1X Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- 消費電力（最大）:165W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:17.3A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:200mOhm @ 8.7A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 900µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:45 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1800 pF @ 300 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK17E65W,S1X bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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