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Toshiba Semiconductor and Storage TK9A55DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
part number has RoHS
Hersteller Modell :TK9A55DA(STA4,Q,M)
Dasenic Modell :TK9A55DA(STA4,Q,M)-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 2.4030$ 2.4
50+$ 1.1867$ 59.34
100+$ 2.4030$ 240.3
500+$ 0.8608$ 430.4
1000+$ 0.7941$ 794.1
Auf Lager: 1550
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 2.403
Gesamt :$ 2.40
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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TK9A55DA(STA4,Q,M) Informationen

  • Toshiba Semiconductor and Storage TK9A55DA(STA4,Q,M) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
  • 消費電力(最大):40W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):550 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8.5A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:860mOhm @ 4.3A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:20 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1050 pF @ 25 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±30V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK9A55DA(STA4,Q,M) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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