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Vishay SIHD6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Hersteller Modell :SIHD6N80E-GE3
Hersteller :Vishay
Dasenic Modell :SIHD6N80E-GE3-DS
Dokument :
SIHD6N80E-GE3 Dokument
SIHD6N80E-GE3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.0170 | $ 1.02 |
| 15+ | $ 0.9180 | $ 13.77 |
| 75+ | $ 0.8595 | $ 64.46 |
| 300+ | $ 0.8190 | $ 245.7 |
| 1500+ | $ 0.7515 | $ 1127.25 |
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SIHD6N80E-GE3 Informationen
Vishay SIHD6N80E-GE3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252AA
- 消費電力（最大）:78W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):800 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:5.4A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:940mOhm @ 3A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:44 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:827 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIHD6N80E-GE3 bereitgestellt von Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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