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Vishay SQJB40EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Hersteller Modell :SQJB40EP-T1_GE3
Hersteller :Vishay
Dasenic Modell :SQJB40EP-T1_GE3-DS
Dokument :
SQJB40EP-T1_GE3 Dokument
SQJB40EP-T1_GE3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
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SQJB40EP-T1_GE3 Informationen
Vishay SQJB40EP-T1_GE3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:PowerPAK® SO-8 Dual
- Leistung – Max:34W
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8 Dual
- F E T- Typ:2 N-Channel (Dual)
- F E T- Funktion:Standard
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):40V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:30A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:8mOhm @ 8A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:2.5V @ 250µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:35nC @ 10V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1900pF @ 25V
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- REACH-Status:REACH is not affected
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SQJB40EP-T1_GE3 bereitgestellt von Vishay
Vishay Intertechnology, Inc., ein Fortune 1000-Unternehmen, das an der NYSE (VSH) notiert ist, ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern (Dioden, Gleichrichter, MOSFETs, Optoelektronik und ausgewählte ICs) und passiven elektronischen Komponenten (Widerstände, Induktoren und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in praktisch allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizin eingesetzt. Vishays Produktinnovationen, erfolgreiche Akquisitionsstrategie und „One-Stop-Shop“-Service haben das Unternehmen zu einem globalen Branchenführer gemacht.
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