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WeEn Semiconductors BYR16W-1200Q
DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247-2
Hersteller Modell :BYR16W-1200Q
Hersteller :WeEn Semiconductors
Dasenic Modell :BYR16W-1200Q-DS
Dokument :
BYR16W-1200Q Dokument
BYR16W-1200Q DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247-2
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 4.0000 | $ 4 |
| 3+ | $ 3.6000 | $ 10.8 |
| 10+ | $ 3.1800 | $ 31.8 |
| 30+ | $ 2.8800 | $ 86.4 |
| 100+ | $ 2.6600 | $ 266 |
Auf Lager: 1131
MOQ :1 PCS
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BYR16W-1200Q Informationen
WeEn Semiconductors BYR16W-1200Q technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-2
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):16A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.7 V @ 16 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):105 ns
- 動作温度 - 接合部:175°C (Max)
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BYR16W-1200Q bereitgestellt von WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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