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WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ
IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247
Hersteller Modell :WG50N65DHWQ
Hersteller :WeEn Semiconductors
Dasenic Modell :WG50N65DHWQ-DS
Dokument :
WG50N65DHWQ Dokument
WG50N65DHWQ DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 1.0530 | $ 10.53 |
| 600+ | $ 0.8775 | $ 526.5 |
| 1200+ | $ 0.8190 | $ 982.8 |
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WG50N65DHWQ Informationen
WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:278 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 逆回復時間 (trr):105 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):91 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2V @ 15V, 50A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):200 A
- エネルギーの切り替え:1.7mJ (on), 600µJ (off)
- ゲートチャージ:160 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:66ns/163ns
- テスト条件:400V, 50A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
WG50N65DHWQ bereitgestellt von WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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