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Alliance Memory AS4C128M16D3LD-12BCN
Hersteller Modell :AS4C128M16D3LD-12BCN
Hersteller :Alliance Memory
Dasenic Modell :AS4C128M16D3LD-12BCN-DS
Dokument : AS4C128M16D3LD-12BCN Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 2G NEW - D DIE 128M X 16 1.35V C
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AS4C128M16D3LD-12BCN Informationen
Alliance Memory AS4C128M16D3LD-12BCN technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Active
- Basisproduktnummer:AS4C128
- Verpackung:Tray
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8542.32.0036
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C128M16D3LD-12BCN bereitgestellt von Alliance Memory
Alliance Memory ist ein weltweiter Fabless-Hersteller von Speicherprodukten mit veralteter und neuer Technologie, die Pin-für-Pin-Drop-In-Ersatz für SRAM-, DRAM- und NOR-FLASH-ICs von Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix und anderen sind. Unser Ziel ist es, langfristige Beziehungen zu Kunden aufzubauen und langfristigen Support für die von uns hergestellten Teile zu bieten. Wir liefern die meisten unserer SRAM-, DRAM- und FLASH-Produkte direkt ab Lager, wobei die Lagerbestände in den USA, Shanghai und Taiwan gelagert werden. Unsere wettbewerbsfähigen Preise, schnelle Musterbearbeitung und unser erstklassiger Kundendienst und Support haben Alliance Memory zu einer vertrauenswürdigen Quelle für eine wachsende Palette unverzichtbarer Speicher-ICs für die Kommunikations-, Computer-, Embedded-, IoT-, Industrie- und Verbrauchermärkte gemacht. Alliance Memory, Inc. ist ein privates Unternehmen mit Hauptsitz in Washington, USA.
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