Die Bilder dienen nur als Referenz.
1 : $111.5200
Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !
GeneSiC Semiconductor MBR2X120A200
DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
Hersteller Modell :MBR2X120A200
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :MBR2X120A200-DS
Dokument :
MBR2X120A200 Dokument
MBR2X120A200 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 26+ | $ 111.5200 | $ 2899.52 |
| 52+ | $ 106.3800 | $ 5531.76 |
| 104+ | $ 101.6800 | $ 10574.72 |
Auf Lager: 1120
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 111.52
Gesamt :$ 111.52
Waren ausliefern :
Zahlung :
Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.
Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.
Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.
Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.
MBR2X120A200 Informationen
GeneSiC Semiconductor MBR2X120A200 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:920 mV @ 120 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:3 mA @ 200 V
- ダイオード構成:2 Independent
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):200 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):120A
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR2X120A200 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Verwandte Produkte
Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.
