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GeneSiC Semiconductor MBRT12040
Hersteller Modell :MBRT12040
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :MBRT12040-DS
Dokument : MBRT12040 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE MODULE 40V 60A 3TOWER
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MBRT12040 Informationen
GeneSiC Semiconductor MBRT12040 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Produktstatus:Active
- Montagetyp:Chassis Mount
- Verpackung/ Koffer:Three Tower
- Gerätepaket des Lieferanten:Three Tower
- Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Diodentyp:Schottky
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:750 mV @ 60 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:1 mA @ 20 V
- Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
- Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):40 V
- Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):60A
- Sperrverzögerungszeit (trr):-
- Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBRT12040 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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