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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Hersteller Modell :IPG20N10S4L35ATMA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IPG20N10S4L35ATMA1-DS
Dokument :
IPG20N10S4L35ATMA1 Dokument
IPG20N10S4L35ATMA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 8TDSON
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
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| 100+ | $ 0.4723 | $ 47.23 |
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IPG20N10S4L35ATMA1 Informationen
Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- パワー - 最大:43W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TDSON-8-4
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:35mOhm @ 17A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.1V @ 16µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:17.4nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1105pF @ 25V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IPG20N10S4L35ATMA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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