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IXYS IXBT16N170AHV
IGBT
Hersteller Modell :IXBT16N170AHV
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXBT16N170AHV-DS
Dokument :
IXBT16N170AHV Dokument
IXBT16N170AHV DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 15.4170 | $ 15.42 |
| 3+ | $ 13.7160 | $ 41.15 |
| 10+ | $ 12.3120 | $ 123.12 |
| 30+ | $ 11.5110 | $ 345.33 |
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IXBT16N170AHV Informationen
IXYS IXBT16N170AHV technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:150 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268HV
- 逆回復時間 (trr):25 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):16 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1700 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:6V @ 15V, 10A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):40 A
- エネルギーの切り替え:2.5mJ (off)
- ゲートチャージ:65 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:15ns/250ns
- テスト条件:1360V, 10A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXBT16N170AHV bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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