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IXYS IXTU08N100P

Name: IXTU08N100P
Brand: IXYS
SKU: DS-6206609
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

MOSFET N-CH 1000V 8A TO251

Hersteller Modell :IXTU08N100P

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :IXTU08N100P-DS

Dokument :

IXTU08N100P Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 8A TO251

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IXTU08N100P Informationen

IXYS IXTU08N100P technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-251AA
消費電力（最大）:-
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1000 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
Vgs (最大):-
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
IXTU08N100P,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

IXTU08N100P bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。