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IXYS MCNA120UI2200PED
BIPOLAR MODULE - THYRISTOR E2-P
Hersteller Modell :MCNA120UI2200PED
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :MCNA120UI2200PED-DS
Dokument :
MCNA120UI2200PED Dokument
MCNA120UI2200PED DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : BIPOLAR MODULE - THYRISTOR E2-P
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MCNA120UI2200PED Informationen
IXYS MCNA120UI2200PED technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors - SCRs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:E2
- 構造:Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- 電流 - 保持 ( Ih) (最大):100 mA
- 電圧 - オフ状態:2.2 kV
- S C R、ダイオードの数:3 SCRs, 3 Diodes
- 電流 - オン状態 ( It ( A V)) (最大):75 A
- 電流 - オン状態 ( It ( R M S)) (最大):40 A
- 電圧 - ゲートトリガー ( Vgt) (最大):1.4 V
- 電流 - ゲートトリガー ( Igt) (最大):70 mA
- 電流 - 非反復サージ 50、60 Hz ( Itsm):500A, 540A
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.30.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MCNA120UI2200PED bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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