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IXYS VMM85-02F
Hersteller Modell :VMM85-02F
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :VMM85-02F-DS
Dokument : VMM85-02F Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4
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VMM85-02F Informationen
IXYS VMM85-02F technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Chassis Mount
- Verpackung/ Koffer:Y4-M6
- Leistung – Max:370W
- Gerätepaket des Lieferanten:Y4-M6
- F E T- Typ:2 N-Channel (Dual)
- F E T- Funktion:Standard
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):200V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:84A
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:25mOhm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:4V @ 8mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:450nC @ 10V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:15000pF @ 25V
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
VMM85-02F bereitgestellt von IXYS
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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