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NTE Electronics Inc. NTE2399
MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
Hersteller Modell :NTE2399
Hersteller :NTE Electronics Inc.
Dasenic Modell :NTE2399-DS
Dokument :
NTE2399 Dokument
NTE2399 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 5+ | $ 18.6800 | $ 93.4 |
| 25+ | $ 14.8200 | $ 370.5 |
| 50+ | $ 14.5800 | $ 729 |
| 100+ | $ 14.3800 | $ 1438 |
| 250+ | $ 13.1600 | $ 3290 |
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NTE2399 Informationen
NTE Electronics Inc. NTE2399 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- 消費電力（最大）:125W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1000 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.1A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:5Ohm @ 1.9A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:80 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:980 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NTE2399 bereitgestellt von NTE Electronics Inc.
1979 年にニュージャージー州で設立された NTE Electronics, Inc は、全製品ラインに 10 種類の半導体を持つ小さな町のサプライヤから、業界最大のアフターマーケット半導体サプライヤに成長しました。現在、当社の製品ラインは 23,000 種類を超えるデバイスで構成されています。2001 年 1 月、NTE は Philips NA の ECG 部門の資産を買収しました。これにより、NTE は、産業、商業、消費者、および MRO 市場にプライベート ラベルのアフターマーケット電子部品を供給する業界リーダーになりました。ニュージャージー州ブルームフィールドにある NTE の 40,000 平方フィートの本社には、世界中の認定販売店ネットワークに電子部品を継続的に供給するために必要なすべてのサービスと在庫が一元化されています。NTE のデバイスは品質テスト済みで、NASA の宇宙プロジェクト、ドイツの自動車、病院/医療用途、および事実上あらゆる種類の消費者製品に使用されています。
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