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IDT, Integrated Device Technology Inc HIP2211FBZ
100V/4A HI/LI HALF BRIDGE DRIVER
Hersteller Modell :HIP2211FBZ
Hersteller :IDT, Integrated Device Technology Inc
Dasenic Modell :HIP2211FBZ-DS
Dokument :
HIP2211FBZ Dokument
HIP2211FBZ DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : 100V/4A HI/LI HALF BRIDGE DRIVER
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 2.2600 | $ 2.26 |
| 40+ | $ 2.1800 | $ 87.2 |
| 150+ | $ 2.0800 | $ 312 |
| 400+ | $ 2.0000 | $ 800 |
| 1500+ | $ 1.8400 | $ 2760 |
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HIP2211FBZ Informationen
IDT, Integrated Device Technology Inc HIP2211FBZ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 電圧供給:6V ~ 18V
- 入力タイプ:Non-Inverting
- チャネルタイプ:Independent
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ドライバー数:2
- 上昇/下降時間(標準):20ns, 20ns
- 駆動構成:Half-Bridge
- ロジック電圧- V I L V I H:1.47V, 1.84V
- 電流ピーク出力(ソースシンク):3A, 4A
- ハイサイド電圧最大(ブートストラップ):115 V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HIP2211FBZ bereitgestellt von IDT, Integrated Device Technology Inc
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (TSE: 6723) は、マイクロコントローラの世界的リーダーであり、高度な半導体ソリューションの優先プロバイダーです。ルネサス エレクトロニクスは、2002 年 11 月に日立セミコンダクタと三菱電機の 2 つの日本の大手半導体企業の合併により設立されました。マイクロコントローラ、アナログ、電源、SoC 製品の世界的リーダーとして、ルネサスは自動車、産業、家庭用電化製品、オフィス オートメーション、情報通信技術など、幅広いアプリケーションに包括的なソリューションを提供しています。同社のグローバル本社は東京にあります。ルネサス エレクトロニクスは、ヨーロッパ、中東、アジア、北米にオフィス、研究開発センター、製造施設、販売拠点を持ち、世界的に大きな足跡を残しています。
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