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Rochester Electronics HIP6602BCB
Hersteller Modell :HIP6602BCB
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :HIP6602BCB-DS
Dokument : HIP6602BCB Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
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HIP6602BCB Informationen
Rochester Electronics HIP6602BCB technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:0°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:14-SOIC
- 電圧 - 供給:10.8V ~ 13.2V
- チャンネルタイプ:Synchronous
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:4
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):-
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):15 V
- 上昇/下降時間(標準):20ns, 20ns
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HIP6602BCB bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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