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IDT, Integrated Device Technology Inc ISL6620IRZ
Half Bridge MOSFET 2A 4.5V~5.5V 2A DFN-10(3x3) Gate Drive ICs
Hersteller Modell :ISL6620IRZ
Hersteller :IDT, Integrated Device Technology Inc
Dasenic Modell :ISL6620IRZ-DS
Dokument :
ISL6620IRZ Dokument
ISL6620IRZ DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : Half Bridge MOSFET 2A 4.5V~5.5V 2A DFN-10(3x3) Gate Drive ICs
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.4220 | $ 1.42 |
| 25+ | $ 1.3950 | $ 34.88 |
| 100+ | $ 1.3410 | $ 134.1 |
| 500+ | $ 1.2780 | $ 639 |
| 1000+ | $ 1.2060 | $ 1206 |
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ISL6620IRZ Informationen
IDT, Integrated Device Technology Inc ISL6620IRZ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- Produktstatus:Obsolete
- Verpackung/ Koffer:10-VFDFN Exposed Pad
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TJ)
- Spannungsversorgung:4.5V ~ 5.5V
- Eingabetyp:Non-Inverting
- Kanaltyp:Synchronous
- Tortyp:N-Channel MOSFET
- Anzahlder Fahrer:2
- Anstiegs-/ Abfallzeit ( Typ):8ns, 8ns
- Angetriebene Konfiguration:Half-Bridge
- Strom- Spitzenausgang( Quelle Senke):2A, 2A
- High Side Voltage- Max ( Bootstrap):36 V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:Vendor is not defined
- US-ECCN:Provided as per user requirements
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISL6620IRZ bereitgestellt von IDT, Integrated Device Technology Inc
Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723) ist der weltweit führende Anbieter von Mikrocontrollern und ein bevorzugter Anbieter hochentwickelter Halbleiterlösungen. Renesas Electronics entstand im November 2002 durch die Fusion zweier großer japanischer Halbleiterunternehmen: Hitachi Semiconductor und Mitsubishi Electric. Als weltweit führender Anbieter von Mikrocontrollern, Analog-, Leistungs- und SoC-Produkten bietet Renesas umfassende Lösungen für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Automobil-, Industrie-, Heimelektronik-, Büroautomatisierungs- und Informationskommunikationstechnologie. Der globale Hauptsitz des Unternehmens befindet sich in Tokio. Renesas Electronics ist weltweit stark vertreten und verfügt über Niederlassungen, Forschungs- und Entwicklungszentren, Fertigungsanlagen und Vertriebsniederlassungen in Europa, dem Nahen Osten, Asien und Nordamerika.
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