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Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Hersteller Modell :TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :TJ30S06M3L(T6L1,NQ-DS
Dokument :
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Dokument
TJ30S06M3L(T6L1,NQ DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 5+ | $ 1.2510 | $ 6.26 |
| 10+ | $ 1.0440 | $ 10.44 |
| 50+ | $ 0.9630 | $ 48.15 |
| 100+ | $ 0.7425 | $ 74.25 |
| 200+ | $ 0.7038 | $ 140.76 |
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK+
- 消費電力（最大）:68W (Tc)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:21.8mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:80 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3950 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):+10V, -20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TJ30S06M3L(T6L1,NQ bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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