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Vishay SI4800BDY-T1-GE3
Hersteller Modell :SI4800BDY-T1-GE3
Hersteller :Vishay
Dasenic Modell :SI4800BDY-T1-GE3-DS
Dokument : SI4800BDY-T1-GE3 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
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SI4800BDY-T1-GE3 Informationen
Vishay SI4800BDY-T1-GE3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Gerätepaket des Lieferanten:8-SOIC
- Verlustleistung (max.):1.3W (Ta)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):30 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:6.5A (Ta)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:18.5mOhm @ 9A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:1.8V @ 250µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:13 nC @ 5 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):4.5V, 10V
- Vgs (max.):±25V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SI4800BDY-T1-GE3 bereitgestellt von Vishay
Vishay Intertechnology, Inc., ein Fortune 1000-Unternehmen, das an der NYSE (VSH) notiert ist, ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern (Dioden, Gleichrichter, MOSFETs, Optoelektronik und ausgewählte ICs) und passiven elektronischen Komponenten (Widerstände, Induktoren und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in praktisch allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizin eingesetzt. Vishays Produktinnovationen, erfolgreiche Akquisitionsstrategie und „One-Stop-Shop“-Service haben das Unternehmen zu einem globalen Branchenführer gemacht.
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