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Comchip Technology 1N4007T-G
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Hersteller Modell :1N4007T-G
Hersteller :Comchip Technology
Dasenic Modell :1N4007T-G-DS
Dokument :
1N4007T-G Dokument
1N4007T-G DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.0504 | $ 0.5 |
| 5000+ | $ 0.0280 | $ 140 |
| 10000+ | $ 0.0254 | $ 254 |
| 15000+ | $ 0.0280 | $ 420 |
| 25000+ | $ 0.0225 | $ 562.5 |
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1N4007T-G Informationen
Comchip Technology 1N4007T-G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:DO-204AL, DO-41, Axial
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-41
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):1A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 1 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 1000 V
- 静電容量 @ Vr、 F:15pF @ 4V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1000 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
1N4007T-G bereitgestellt von Comchip Technology
2000 年に設立された Comchip は、コストと品質の優位性を備えたソリューションとサポートを提供し、世界をリードする半導体ソリューション プロバイダーになることを目指しています。台湾に拠点を置く Comchip は、中国、シリコン バレー、ニューヨークに営業所を構え、世界中の主要拠点で常に事業を拡大し、直接的で優れた顧客サービスを提供しています。Comchip は、ブリッジ整流器、高速効率整流器、スイッチング ダイオード、ツェナー ダイオード、ショットキー ダイオード、TVS、ESD サージ プロテクタなどの製品を提供しています。最近は、トランジスタや MOSFET ソリューションなどのパワー半導体デバイスも製品ラインナップに加わっています。Comchip の製品は、照明、自動車、産業用コンピューター、TFT-LCD パネル、ネットワーク/通信、医療、民生用電子機器など、エレクトロニクス業界の幅広い用途に使用されています。
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