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Comchip Technology CDBGBSC201200-G
DIODE DUAL SIC 20A 1200V TO-247
Hersteller Modell :CDBGBSC201200-G
Hersteller :Comchip Technology
Dasenic Modell :CDBGBSC201200-G-DS
Dokument :
CDBGBSC201200-G Dokument
CDBGBSC201200-G DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE DUAL SIC 20A 1200V TO-247
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 25+ | $ 31.9400 | $ 798.5 |
| 125+ | $ 31.0600 | $ 3882.5 |
| 225+ | $ 29.8000 | $ 6705 |
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CDBGBSC201200-G Informationen
Comchip Technology CDBGBSC201200-G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 10 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 µA @ 1200 V
- ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):25.9A (DC)
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
CDBGBSC201200-G bereitgestellt von Comchip Technology
2000 年に設立された Comchip は、コストと品質の優位性を備えたソリューションとサポートを提供し、世界をリードする半導体ソリューション プロバイダーになることを目指しています。台湾に拠点を置く Comchip は、中国、シリコン バレー、ニューヨークに営業所を構え、世界中の主要拠点で常に事業を拡大し、直接的で優れた顧客サービスを提供しています。Comchip は、ブリッジ整流器、高速効率整流器、スイッチング ダイオード、ツェナー ダイオード、ショットキー ダイオード、TVS、ESD サージ プロテクタなどの製品を提供しています。最近は、トランジスタや MOSFET ソリューションなどのパワー半導体デバイスも製品ラインナップに加わっています。Comchip の製品は、照明、自動車、産業用コンピューター、TFT-LCD パネル、ネットワーク/通信、医療、民生用電子機器など、エレクトロニクス業界の幅広い用途に使用されています。
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