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Dialog Semiconductor RM3313-SNI-T
Hersteller Modell :RM3313-SNI-T
Hersteller :Dialog Semiconductor
Dasenic Modell :RM3313-SNI-T-DS
Dokument : RM3313-SNI-T Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC EEPROM 32KBIT SPI 1MHZ 8SOIC
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RM3313-SNI-T Informationen
Dialog Semiconductor RM3313-SNI-T technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- テクノロジー:EEPROM
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- メモリサイズ:32Kb (4K x 8)
- メモリタイプ:Non-Volatile
- 電圧 - 供給:1.17V ~ 1.23V, 1.14V ~ 1.26V
- クロック周波数:1 MHz
- アクセス時間:-
- メモリフォーマット:EEPROM
- メモリインターフェース:SPI
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:2.2ms, 18ms
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:OBSOLETE
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
RM3313-SNI-T bereitgestellt von Dialog Semiconductor
1985年に設立されたDialog Semiconductorは、米国で設立され、英国レディングに本社を置くメーカーで、世界的な販売、研究開発、マーケティング組織を持っています。2021年8月、ルネサス エレクトロニクス株式会社(TSE:6723)はDialog Semiconductorの買収を完了しました。ルネサス エレクトロニクス株式会社の完全子会社であるDialog Semiconductor plcは、モノのインターネットとインダストリー4.0アプリケーションを強化する標準およびカスタム集積回路(IC)の大手プロバイダーです。Dialogの実証された専門知識は、バッテリー管理、Bluetooth®低エネルギー、Wi-Fi、フラッシュメモリ、および構成可能なミックスシグナルICを提供することで、今日のデバイスの次世代を推進し、電力効率を改善し、充電時間を短縮し、外出先でのパフォーマンスと生産性を向上させます。
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