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Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
Hersteller Modell :DMG3415UFY4-7
Hersteller :Diodes Incorporated
Dasenic Modell :DMG3415UFY4-7-DS
Dokument :
DMG3415UFY4-7 Dokument
DMG3415UFY4-7 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.1085 | $ 1.09 |
| 500+ | $ 0.0904 | $ 45.2 |
| 1215+ | $ 0.0742 | $ 90.15 |
| 1880+ | $ 0.0719 | $ 135.17 |
| 2590+ | $ 0.0696 | $ 180.26 |
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DMG3415UFY4-7 Informationen
Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:3-XFDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DFN2015H4-3
- 消費電力（最大）:400mW (Ta)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):16 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.5A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:39mOhm @ 4A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:10 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:281.9 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.8V, 4.5V
- Vgs (最大):±8V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
DMG3415UFY4-7 bereitgestellt von Diodes Incorporated
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) は、広範なディスクリート、ロジック、アナログ、ミックスドシグナル半導体市場における高品質の特定用途向け標準製品を製造する世界有数の企業です。Diodes は、自動車、産業、コンピューティング、民生用電子機器、通信の各市場にサービスを提供しています。当社の製品ポートフォリオには、ダイオード、トランジスタ、MOSFET、保護デバイス、ロジック、電圧レギュレータ、アンプ、センサー、コンバータや LED ドライバなどの電源管理デバイスが含まれます。また、タイミングおよび接続ソリューションも提供しています。Diodes の製造施設は、ISO 9001:2015、ISO 14001:2015、IATF 16949:2016 (自動車製品向け)、C-TPAT といった国際的に認められた認証を取得しており、優れた品質管理への取り組みを強調するとともに、品質と一貫性を優先する OEM にとっての優先ベンダーとしての信頼性を高めています。当社は米国テキサス州に本社を置き、世界中に設計、マーケティング、エンジニアリング センター、施設を持ち、世界中にサポート オフィスを構えています。
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