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EPC EPC2012

Name: EPC2012
Brand: EPC
SKU: DS-6189377
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

GANFET N-CH 200V 3A DIE

Hersteller Modell :EPC2012

Hersteller :EPC

Dasenic Modell :EPC2012-DS

Dokument :

EPC2012 Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : GANFET N-CH 200V 3A DIE

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EPC2012 Informationen

EPC EPC2012 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:Die
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:Die
消費電力（最大）:-
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:1.8 nC @ 5 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:145 pF @ 100 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:5V
Vgs (最大):+6V, -5V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0040
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
EPC2012,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

EPC2012 bereitgestellt von EPC

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) は、窒化ガリウム (GaN) ベースのパワーデバイスの開発と商品化を通じてパワーエレクトロニクス分野の発展に取り組んでいる最先端技術企業です。EPC は、パワーエレクトロニクス、半導体、ビジネス管理の専門家チームによって 2007 年に設立されました。設立以来、EPC は業界のリーダーとして認められ、既製の GaN ベースのパワートランジスタと集積回路の幅広いポートフォリオを提供しています。2009 年以降、同社の製品ラインは急速に拡大し、集積回路、自動車認定デバイス、耐放射線デバイスのファミリーが拡大しています。当社の製品は、民生用電子機器や自動車から再生可能エネルギーや宇宙まで、幅広い用途で使用されています。今日、世界中の大手企業が EPC と連携して、GaN の力で次世代テクノロジーを実現しています。