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Flip Electronics FDP038AN06A0-F102
Hersteller Modell :FDP038AN06A0-F102
Hersteller :Flip Electronics
Dasenic Modell :FDP038AN06A0-F102-DS
Dokument : FDP038AN06A0-F102 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
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Auf Lager: 4506
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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FDP038AN06A0-F102 Informationen
Flip Electronics FDP038AN06A0-F102 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-220-3
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-3
- Verlustleistung (max.):310W (Tc)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):60 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:80A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:3.8mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:4V @ 250µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:124 nC @ 10 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:6400 pF @ 25 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):6V, 10V
- Vgs (max.):±20V
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
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