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Flip Electronics FQU13N06LTU-WS
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Hersteller Modell :FQU13N06LTU-WS
Hersteller :Flip Electronics
Dasenic Modell :FQU13N06LTU-WS-DS
Dokument :
FQU13N06LTU-WS Dokument
FQU13N06LTU-WS DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.4850 | $ 1.49 |
| 70+ | $ 0.6684 | $ 46.79 |
| 140+ | $ 1.4850 | $ 207.9 |
| 560+ | $ 0.4891 | $ 273.9 |
| 1050+ | $ 0.4508 | $ 473.34 |
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FQU13N06LTU-WS Informationen
Flip Electronics FQU13N06LTU-WS technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:I-PAK
- 消費電力（最大）:2.5W (Ta), 28W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:115mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:6.4 nC @ 5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:350 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
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