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Flip Electronics NSBA113EF3T5G
Hersteller Modell :NSBA113EF3T5G
Hersteller :Flip Electronics
Dasenic Modell :NSBA113EF3T5G-DS
Dokument : NSBA113EF3T5G Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
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NSBA113EF3T5G Informationen
Flip Electronics NSBA113EF3T5G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-1123
- パワー - 最大:254 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-1123
- トランジスタタイプ:PNP - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:250mV @ 5mA, 10mA
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:3 @ 5mA, 10V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):1 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):1 kOhms
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
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