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Flip Electronics NSBC123EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Hersteller Modell :NSBC123EPDXV6T1G
Hersteller :Flip Electronics
Dasenic Modell :NSBC123EPDXV6T1G-DS
Dokument :
NSBC123EPDXV6T1G Dokument
NSBC123EPDXV6T1G DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 0.0484 | $ 0.05 |
| 25+ | $ 0.0474 | $ 1.19 |
| 100+ | $ 0.0455 | $ 4.55 |
| 500+ | $ 0.0436 | $ 21.8 |
| 1000+ | $ 0.0411 | $ 41.1 |
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NSBC123EPDXV6T1G Informationen
Flip Electronics NSBC123EPDXV6T1G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
- パワー - 最大:500mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-563
- トランジスタタイプ:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:250mV @ 5mA, 10mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:8 @ 5mA, 10V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):2.2kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):2.2kOhms
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
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