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Flip Electronics NTMFD0D9N02P1E
IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
Hersteller Modell :NTMFD0D9N02P1E
Hersteller :Flip Electronics
Dasenic Modell :NTMFD0D9N02P1E-DS
Dokument :
NTMFD0D9N02P1E Dokument
NTMFD0D9N02P1E DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.1160 | $ 1.12 |
| 25+ | $ 1.0980 | $ 27.45 |
| 100+ | $ 1.0530 | $ 105.3 |
| 500+ | $ 1.0080 | $ 504 |
| 1000+ | $ 0.9450 | $ 945 |
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NTMFD0D9N02P1E Informationen
Flip Electronics NTMFD0D9N02P1E technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerWDFN
- パワー - 最大:960mW (Ta), 1.04W (Ta)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-PQFN (5x6)
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V, 25V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:14A (Ta), 30A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 340µA, 2V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
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