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Flip Electronics NTMFS4985NFT3G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
Hersteller Modell :NTMFS4985NFT3G
Hersteller :Flip Electronics
Dasenic Modell :NTMFS4985NFT3G-DS
Dokument :
NTMFS4985NFT3G Dokument
NTMFS4985NFT3G DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 0.3015 | $ 0.3 |
| 25+ | $ 0.2955 | $ 7.39 |
| 100+ | $ 0.2834 | $ 28.34 |
| 500+ | $ 0.2714 | $ 135.7 |
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NTMFS4985NFT3G Informationen
Flip Electronics NTMFS4985NFT3G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN, 5 Leads
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 消費電力（最大）:1.63W (Ta), 22.73W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:17.5A (Ta), 65A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.4mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.3V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:30.5 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2100 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
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