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Flip Electronics NVD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Hersteller Modell :NVD6415ANLT4G
Hersteller :Flip Electronics
Dasenic Modell :NVD6415ANLT4G-DS
Dokument :
NVD6415ANLT4G Dokument
NVD6415ANLT4G DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 0.4583 | $ 0.46 |
| 25+ | $ 0.4491 | $ 11.23 |
| 100+ | $ 0.4307 | $ 43.07 |
| 500+ | $ 0.4125 | $ 206.25 |
| 1000+ | $ 0.3895 | $ 389.5 |
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NVD6415ANLT4G Informationen
Flip Electronics NVD6415ANLT4G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK
- 消費電力（最大）:83W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:23A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:52mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:20 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1024 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
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