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Flip Electronics NVMFSW6D1N08HT1G

MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
part number has RoHS
Hersteller Modell :NVMFSW6D1N08HT1G
Hersteller :Flip Electronics
Dasenic Modell :NVMFSW6D1N08HT1G-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 3.3000$ 3.3
10+$ 2.2340$ 22.34
100+$ 3.3000$ 330
500+$ 1.2844$ 642.2
Auf Lager: 2705
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 3.3
Gesamt :$ 3.30
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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NVMFSW6D1N08HT1G Informationen

  • Flip Electronics NVMFSW6D1N08HT1G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerTDFN, 5 Leads
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 消費電力(最大):3.8W (Ta), 104W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:17A (Ta), 89A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:5.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 120µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:32 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2085 pF @ 40 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.

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