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General Electric GE12047CCA3
1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL
Hersteller Modell :GE12047CCA3
Hersteller :General Electric
Dasenic Modell :GE12047CCA3-DS
Dokument :
GE12047CCA3 Dokument
GE12047CCA3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : 1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 2174.0000 | $ 2174 |
| 10+ | $ 2048.0000 | $ 20480 |
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GE12047CCA3 Informationen
General Electric GE12047CCA3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (Tc)
- Montagetyp:Chassis Mount
- Verpackung/ Koffer:Module
- Leistung – Max:1250W
- Gerätepaket des Lieferanten:-
- F E T- Typ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T- Funktion:Silicon Carbide (SiC)
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):1200V (1.2kV)
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:475A
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:4.4mOhm @ 475A, 20V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:4.5V @ 160mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:1248nC @ 18V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:29.3nF @ 600V
- EU RoHS-Status:The vendor has not updated the RoHS info
- REACH-Status:REACH is not defined
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GE12047CCA3 bereitgestellt von General Electric
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