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Global Power Technology-GPT G3S12010M

Name: G3S12010M
Brand: Global Power Technology-GPT
SKU: DS-5847849
Price: 7.9463 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

Hersteller Modell :G3S12010M

Hersteller :Global Power Technology-GPT

Dasenic Modell :G3S12010M-DS

Dokument :

G3S12010M Dokument

Kundenanpassung :

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Beschreibung : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

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G3S12010M Informationen

Global Power Technology-GPT G3S12010M technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-2 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):23.5A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 10 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:765pF @ 0V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH info available upon request
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

G3S12010M bereitgestellt von Global Power Technology-GPT

Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) は、中国のシリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスの産業化における先駆者の 1 つです。中国初の SiC パワーデバイスメーカーとして知られる GPT は、北京に完全な半導体工場を所有しています。生産ラインは、4/6 インチのウェハ製造に対応しています。国内初の SiC デバイス研究開発および生産プラットフォームサービス企業として、GPT の生産ラインは、基本的なコア技術製品、SIC 成形製品、および複数の産業ソリューションをカバーしています。同社のコア製品は、SiC ショットキーダイオードに代表されます。一連のシリコンカーバイドショットキーダイオード製品が量産されており、製品の品質は世界の同業他社の先進レベルに匹敵します。