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Infineon Technologies F423MR12W1M1B76BPSA1
MOSFET MODULE
Hersteller Modell :F423MR12W1M1B76BPSA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :F423MR12W1M1B76BPSA1-DS
Dokument :
F423MR12W1M1B76BPSA1 Dokument
F423MR12W1M1B76BPSA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET MODULE
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F423MR12W1M1B76BPSA1 Informationen
Infineon Technologies F423MR12W1M1B76BPSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:AG-EASY1B-2
- F E Tタイプ:4 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:45A (Tj)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:22.5mOhm @ 50A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5.55V @ 20mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:124nC @ 15V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3.68nF @ 800V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
F423MR12W1M1B76BPSA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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