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Infineon Technologies IGLD60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
Hersteller Modell :IGLD60R070D1AUMA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IGLD60R070D1AUMA1-DS
Dokument :
IGLD60R070D1AUMA1 Dokument
IGLD60R070D1AUMA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 11.9700 | $ 11.97 |
| 5+ | $ 10.3500 | $ 51.75 |
| 10+ | $ 9.9000 | $ 99 |
| 50+ | $ 9.0900 | $ 454.5 |
| 100+ | $ 8.6850 | $ 868.5 |
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IGLD60R070D1AUMA1 Informationen
Infineon Technologies IGLD60R070D1AUMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-LDFN Exposed Pad
- テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-LSON-8-1
- 消費電力（最大）:114W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:15A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.6V @ 2.6mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:380 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):-10V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IGLD60R070D1AUMA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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