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Infineon Technologies IPA105N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
Hersteller Modell :IPA105N15N3GXKSA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IPA105N15N3GXKSA1-DS
Dokument :
IPA105N15N3GXKSA1 Dokument
IPA105N15N3GXKSA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 4.1760 | $ 4.18 |
| 10+ | $ 3.8070 | $ 38.07 |
| 25+ | $ 2.0880 | $ 52.2 |
| 100+ | $ 2.0070 | $ 200.7 |
| 250+ | $ 1.9980 | $ 499.5 |
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IPA105N15N3GXKSA1 Informationen
Infineon Technologies IPA105N15N3GXKSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO220-FP
- 消費電力（最大）:40.5W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):150 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:37A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10.5mOhm @ 37A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 160µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:55 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:4300 pF @ 75 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:8V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IPA105N15N3GXKSA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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