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Infineon Technologies IPB010N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Hersteller Modell :IPB010N06NATMA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IPB010N06NATMA1-DS
Dokument :
IPB010N06NATMA1 Dokument
IPB010N06NATMA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 3.6090 | $ 3.61 |
| 10+ | $ 3.4560 | $ 34.56 |
| 50+ | $ 3.3660 | $ 168.3 |
| 500+ | $ 3.3570 | $ 1678.5 |
| 1000+ | $ 3.0870 | $ 3087 |
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IPB010N06NATMA1 Informationen
Infineon Technologies IPB010N06NATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO263-7
- 消費電力（最大）:300W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:45A (Ta), 180A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 280µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:208 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:15000 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IPB010N06NATMA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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