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Infineon Technologies IPB60R230P6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3
part number has RoHS
Hersteller Modell :IPB60R230P6ATMA1
Dasenic Modell :IPB60R230P6ATMA1-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 3.5774$ 35.77
1000+$ 2.3849$ 2384.9
2000+$ 2.2656$ 4531.2
5000+$ 2.1804$ 10902
Auf Lager: 73
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 3.5774
Gesamt :$ 3.58
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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IPB60R230P6ATMA1 Informationen

  • Infineon Technologies IPB60R230P6ATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Produktstatus:Obsolete
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-3-1
  • Verlustleistung (max.):126W (Tc)
  • F E T- Typ:N-Channel
  • F E T- Funktion:-
  • Drain- Source- Spannung ( Vdss):600 V
  • Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:16.8A (Tc)
  • R D S ein (max.) bei I D, V G S:230mOhm @ 6.4A, 10V
  • Vgs(th) ( Max) @ Id:4.5V @ 530µA
  • Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:31 nC @ 10 V
  • Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1450 pF @ 100 V
  • Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
  • Vgs (max.):±20V
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH-Status:REACH Unaffected
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.29.0095
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IPB60R230P6ATMA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) ist ein weltweit führender Halbleiterhersteller für Stromversorgungssysteme und IoT. Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Zu den Halbleiterprodukten des Unternehmens gehören ASIC, Batteriemanagement-ICs, Taktgeber und Timing-Lösungen, ESD- und Überspannungsschutz, Speichermikrocontroller, HF-, Sicherheits- und Chipkartenlösungen, Sensoren, Kleinsignaltransistoren und -dioden, Transceiver, drahtlose Konnektivität, Software und mehr. Diese Produkte werden in den Bereichen Automobil, umweltfreundliche Industriestromversorgung, Energiemanagement, Sensorlösungen und Sicherheit in IoT-Anwendungen eingesetzt. Infineon Technologies wurde 1999 als Spin-off der Siemens AG gegründet. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Neubiberg bei München und beschäftigt rund 56.200 Mitarbeiter an 155 Standorten weltweit.
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