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Infineon Technologies IPD06P005NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Hersteller Modell :IPD06P005NSAUMA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IPD06P005NSAUMA1-DS
Dokument :
IPD06P005NSAUMA1 Dokument
IPD06P005NSAUMA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 1.0750 | $ 10.75 |
| 2500+ | $ 0.5972 | $ 1493 |
| 5000+ | $ 0.5510 | $ 2755 |
| 7500+ | $ 0.5972 | $ 4479 |
| 12500+ | $ 0.5009 | $ 6261.25 |
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IPD06P005NSAUMA1 Informationen
Infineon Technologies IPD06P005NSAUMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3-313
- 消費電力（最大）:28W (Tc)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6.5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:250mOhm @ 6.5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 270µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:10.6 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:420 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IPD06P005NSAUMA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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