![](https://assets.dasenic.com/upload/20250113180913/20250113/Z3lznfhjwFROxRKdHai5u3MIsExsF3e3JLh8Lqxu.png)
Die Bilder dienen nur als Referenz.
1 : $0.4925
Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !
Infineon Technologies IPD50R800CEATMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
- Hersteller Modell :IPD50R800CEATMA1
- Hersteller :Infineon Technologies
- Dasenic Modell :IPD50R800CEATMA1-DS
- Dokument :
IPD50R800CEATMA1 Dokument
- Beschreibung : MOSFET N CH 500V 5A TO252
- Verpackung :-
- Menge :Einzelpreis : $ 0.7388Gesamt : $ 0.74
- Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
- Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
- Waren ausliefern :
- Zahlung :
Auf Lager: 66
( MOQ : 1 PCS )PREISE (USD) : *Alle Preise sind in US Dollar berechnet
Menge | Einzelpreis | Gesamt |
10 + | $ 0.7388 | $ 7.39 |
2500 + | $ 0.4925 | $ 1231.25 |
5000 + | $ 0.4666 | $ 2333.00 |
12500 + | $ 0.4320 | $ 5400.00 |
25000 + | $ 0.4251 | $ 10627.50 |
Angebot anfordern
Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.
Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.
Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.
Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.
Infineon Technologies IPD50R800CEATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Obsolete
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
Verlustleistung (max.):60W (Tc)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):500 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:5A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) ( Max) @ Id:3.5V @ 130µA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:12.4 nC @ 10 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:280 pF @ 100 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):13V
Vgs (max.):±20V
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Infineon Technologies IPD50R800CEATMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) ist ein weltweit führender Halbleiterhersteller für Stromversorgungssysteme und IoT. Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Zu den Halbleiterprodukten des Unternehmens gehören ASIC, Batteriemanagement-ICs, Taktgeber und Timing-Lösungen, ESD- und Überspannungsschutz, Speichermikrocontroller, HF-, Sicherheits- und Chipkartenlösungen, Sensoren, Kleinsignaltransistoren und -dioden, Transceiver, drahtlose Konnektivität, Software und mehr. Diese Produkte werden in den Bereichen Automobil, umweltfreundliche Industriestromversorgung, Energiemanagement, Sensorlösungen und Sicherheit in IoT-Anwendungen eingesetzt. Infineon Technologies wurde 1999 als Spin-off der Siemens AG gegründet. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Neubiberg bei München und beschäftigt rund 56.200 Mitarbeiter an 155 Standorten weltweit.
Infineon Technologies Ähnliche Produktempfehlungen
Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.
IPD50R800CEATMA1 gleiche Art von Produkten
Bewertungen und Rezensionen
Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte senden Sie Kommentare nach der Anmeldung in Ihr Konto.