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Infineon Technologies IR2011STR
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Hersteller Modell :IR2011STR
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IR2011STR-DS
Dokument :
IR2011STR Dokument
IR2011STR DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 65+ | $ 0.7083 | $ 46.04 |
| 140+ | $ 0.6624 | $ 92.74 |
| 215+ | $ 0.6399 | $ 137.58 |
| 305+ | $ 0.5940 | $ 181.17 |
| 395+ | $ 0.5715 | $ 225.74 |
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IR2011STR Informationen
Infineon Technologies IR2011STR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:10V ~ 20V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:High-Side or Low-Side
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.7V, 2.2V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:1A, 1A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):200 V
- 上昇/下降時間（標準）:35ns, 20ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IR2011STR bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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